EFESeul

O gigante tecnológico Samsung Electronics anunciou esta quinta-feira que começou a produzir em massa os primeiros semicondutores de 3 nanómetros do mundo, um produto de nova geração que permite um maior desempenho e um menor consumo de energia e que surge numa altura em que a indústria enfrenta estrangulamentos na produção.

A Samsung fabrica estes novos circuitos integrados com uma tecnologia de transístor multi-interface a que chama Tecnologia de Transístor Multi-Bridge-Channel (MBCFET), que permitirá avanços significativos sobre a atual tecnologia de fabrico FinFET utilizada para semicondutores de 5 nanómetros.

A primeira geração de semicondutores de 3 nanómetros que começou a produzir hoje podem "reduzir o consumo de energia até 45%, melhorar o desempenho em 23% e reduzir a área em 16%" em comparação com os semicondutores de 5 nanómetros, disse a empresa em comunicado.

Os chips de segunda geração serão ainda mais pequenos e mais eficientes, ocupando menos 35% de espaço físico e conseguindo uma melhoria de desempenho de 30% com um consumo de energia 50% menor, de acordo com a companhia sediada em Suwon (a sul de Seul).

A Samsung Electronics está assim à frente da taiwanesa TSMC, que planeia começar a fabricar os seus semicondutores de 3 nanómetros no segundo semestre deste ano.

A Samsung, que é o maior fabricante mundial de chips de memória e a segunda maior fundidora de circuitos integrados do mundo (tem uma quota de mercado de 16,3%, atrás dos 53,5% da TSMC, de acordo com a revista especializada TrendForce), disse que a sua tecnologia para o fabrico de semicondutores de 2 nanómetros está em fase de desenvolvimento inicial e tem o objetivo de iniciar a produção em 2025.

A empresa revelou há três anos um grande plano de investimento até 2030 avaliado em 171 biliões de wons (cerca de 131.565 milhões de dólares) relativamente em fundições e tecnologias relacionadas.